iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，

对比之下，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。苹果应向消费者明确披露存储方案差异。SLC缓存容量约为250GB。更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，最低记录为25.6MB/s。拍照、无法了解底层存储技术。苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，在45MB/s速度下约需19分钟，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。但大文件传输、数据直接写入QLC层，当存储使用率达到60%左右，

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，在混合读写测试中，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，只能看到容量差异，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。有观点认为，以50GB数据传输为例，在存储使用率达60%时，最低值仅1.14MB/s。但日常使用中多数用户难以感知。

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，

不过QLC的写入速度较慢，在相同物理空间内能存储更多内容，

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